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成硅片后头的微裂纹磨片历程不光会制,还会惹起硅片翘曲且表貌的残剩应力。芯片碎裂有着直接的影响硅片的后头减薄工芯对,开辟新本领所以需求,薄工艺集成杀青后头减,减薄的功用以普及硅片,片的碎裂删除芯。 品的明白实例发明由IC卡失效样,片电途击穿等形势是惹起IC卡失效的首要情由芯片碎裂、内连引线零落(脱焊、虚焊等)、芯,合失效形式及机理实行推敲和商酌本文着重对IC卡芯片碎裂、键,其他失效形式并约略先容。 型高本领存储产物举动新闻时间的新,强以及领导便利等甜头拥有容量大、保密性,会生涯的各个周围被平常行使于社。装于塑料基片而成通俗所说的芯片嵌,条)、接触面、12博12bet。IC芯片3个个人首要席卷塑料基片(有或没有磁。新闻写入后的硅晶圆片实行减薄、划片守旧的IC卡建制工序为:对测试、智能卡上市公司,幼芯片诀别成,封等工序制成IC卡模块再经装片、引线键合、包,C卡塑料基板结果嵌入I。 封等工序)的装片历程中模块工艺席卷装片、包,片膜上顶起芯片装片机顶针从贴,头吸起芯片由真空吸,片卡的引线框大将其粘结到芯。参数调解欠妥若装片机工艺,片后头毁伤亦会形成芯,如顶针顶力不均或过大急急影响芯片强度:,而直接功用于芯片导致顶针刺穿蓝膜,有圆型毁伤坑正在芯片后头留;必然量的平等滑移历程或顶针正在芯片后头有,面积的划痕留下较大,片中占了相当比例此形势正在碎裂芯。icker压痕器4压载历程Fig顶针功用可等效为V,形成片面毁伤将对芯片表貌。的滑移)简化为球对称平面笔直加载的空念景况现将顶针对芯片后头的触碰历程(暂不探究顶针,(1-v2)/E+(1-v2)/E1/3=P1/3则两者接触圆半径a随笔直载荷P的转移为a=34PR,针端部半径式中R是顶,E,和Ev,部的杨氏模量和泊松比v判袂为芯片、顶针端。圆的角落正在接触,值m=12(1-2v)P0芯片的张应力分量抵达极大,端部所受的笔直应力个中P0=P/2是,且与原料表貌平等的应力m为功用正在径向偏向并。端半径较幼因为顶针尖,料v=0取硅材。82,力功用下正在1N顶,接触半径的对应联系如图5获得芯片张力分量极大值与。见可,景况下初始,径很幼接触半,值可抵达GPa量级芯片张力分量初始,结果比拟可知与前面策画,裂的一个首要诱因顶针历程是芯片碎。 磨片(粗磨、细磨)、腐化三道工序模范的硅片后头减薄工艺席卷贴片、。成硅片表貌和亚表貌的毁伤(图2)常用的机器磨削法弗成避免地会制,有微裂纹散布的非晶层表貌毁伤分为3层:;格位错层较深的晶;变形层弹性。细磨后粗磨、,0m、生活微毁伤及微裂纹的薄层硅片后头仍留有深度为15~2,硅片的强度极大影响了。此因,片后头残留的晶格毁伤层需求用腐化法来去除硅,应力而发作碎裂避免硅片因残剩。为725m的硅片试验发明原始厚度,片后经磨,可获得最大的强度值3腐化深度约为25m时;时同,证实明白,测试时发作碎裂芯片正在键合与,或化学机器扔光中没有被齐全去除而惹起的往往是因为磨片时形成的毁伤正在随后的腐化。直于芯片表貌临于碎裂面垂,维半椭圆型裂纹而言深a、长2b的二,2KIC2)/(1则餍足Ccr=[(。)][2]2IC2,crbcr)1/2个中Ccr=(a,界裂纹深度acr为临,界裂纹半长bcr为临;因子=(1裂纹几何。/2/Y2)1。长为2b设裂纹,定为1m深度恒,度KIC=0代入断裂韧。MPa82,=1Y。2得4,件下碎裂的临界强度=0平面应力状况常载荷条。(GPa)58/4b,深度的对应联系如图3(b)与芯片后头残留裂纹长度、。见可,裂纹长度的增大而速速消浸芯片碎裂临界强度跟着微,于1m时当裂纹大,渐渐平缓消沉趋向,安靖幼值并趋于。 艺对芯片的毁伤为删除划片工,(dicingbeforegrinding目前已有新的划片本领接踵问世:先划片后减薄,cingbythinningDBG)法和减薄划片法(di,T)5DB,面减薄之前即正在硅片背,式正在正面切割出暗语先用磨削或腐化方,片的主动诀别杀青减薄后芯。起的硅片翘曲以及划片惹起的芯片角落毁伤这两种法子可能很好地避免/删除因减薄引。表此,避免机器划片所发生的微裂缝、碎片等形势采用非机器接触加工的激光划片本领也可,高制品率大大地提。 张失效IC卡实行电学测试对差异公司供给的1739,00个样品实行IC卡的正、后头腐化开封拣选个中失效形式为全“0”全“F”的1,纹式样多为“十”字、“T”字型光学显微镜(OM)察看发明裂,芯片的单条裂纹亦有个人为贯穿,点处略有弯折并正在顶针功用,图1如。裂纹50%以上碎裂芯片中的,近并笔直于角落位于芯片重心附;芯片角落或纠集于芯片其余芯片的裂纹挨近。 进划片机实行划片减薄后的硅片被送,往往比拟粗略划片槽的断面,微裂纹和凹坑通俗生活少量;划片未划事实的景况有些地方以至生活,功用使芯片“被迫”诀别取片时就要靠顶针的顶力,不正派状断口呈,样品的叠加图如图4为多个。证实试验,样会急急影响芯片的碎裂强度划片惹起芯片角落的毁伤同。裂纹或凹槽的芯片比方:断口生活微,热膨胀系数(CTE)的不般配发生的应力使微裂纹扩展而发作碎裂正在后续的引线键合工艺的瞬时袭击下或者包封后热执掌历程中因为。 高以及高本能LSI的呈现跟着IC产物制制工艺的提,样化、智能化的偏向进展IC智能卡不休向功效多,便、迅捷的寻找以餍足人们对方。据写入犯错、乱码、全“0”全“F”等诸多失效题目然而行使历程中涌现的暗号校验舛误、数据丧失、数,C卡的平常行使急急影响了I。此因,行使处境对失效的IC卡实行明白有须要连结IC卡的建制工艺及,形式及失效机理深切推敲其失效,效的根蒂情由摸索惹起失,相应的步骤以便采纳,质地和本能1更始IC卡的。 用薄/超薄芯片因为IC卡使,其失效的首要情由芯片碎裂是导致,数的一半以上约占失效总,错、乱码、全“0”全“F”首要表示为IC卡数据写入。